Buluş, basit bir metot ile sert ve kesici malzemelerin dayanıklılığını arttıran silisyum karbür (silicon carbide) üretimi ile ilgilidir.
Teknik Alan
Buluş, basit bir metot ile sert ve kesici malzemelerin dayanıklılığını arttıran silisyum karbür (silicon carbide) üretimi ile ilgilidir.
Özet
Silisyum karbür (SiC), elmas benzeri malzemeler sınıfında olup bilinen en sert maddelerden biridir. Düşük termal genleşme katsayısı, yüksek termal iletkenliği, korozyona karşı direnci ve dayanıklılığı ile kesici ürünlerde, dayanıklılık aranan ürünlerin de içine katkılama yapılarak kullanılan bir kimyasaldır.Yüksek sıcaklık ve aşınma dayanımından dolayı son zamanlarda karbon elyaf takviyeli seramik fren disklerinde de SiC kullanıldığı bilinmektedir. Silisyum karbür üretimi konusunda literatürde çok az metot bulunmaktadır. Buluşumuzla Polihidrokarbin ve Si tozundan 1000 ⁰C de argonlu ortamda başka hiçbir cihaza ihtiyaç duymadan rombohedral kristal yapısında silisyum karbür (SiC) üretebilmektedir.
Kullanım Alanı
Kategori | : | Kimya Teknolojileri |
Referans Numarası | : | 2016/023 |
Olgunluk Seviyesi | : | TRL-3: Konseptin deneysel kanıtlaması tamamlandı. |
Patent Koruması | : | İNCELEMELİ PATENT olarak tescil edildi. |
Patent Numarası | : | TR 2016 10020 B |
Erciyes Teknoloji Transfer Ofisi | |
info@erciyestto.com | |
+90 352 224 81 12 |